Час плато Міллера майже дорівнює нулю (див. рис. 3), а загальні втрати при перемиканні зменшуються принаймні на 70 %.
Oct 19, 2022| Час плато Міллера майже дорівнює нулю (див. рис. 3), а загальні втрати при перемиканні зменшуються принаймні на 70 %.
Як показано в таблиці 1, з однаковою RDS(ON) нітрид галію має меншу паразитну ємність, а Ciss і Crss становлять 1/12 і 1/23 від Si CoolMOS відповідно, що призводить до вищої швидкості перемикання. У швидкому плечі мосту BTPPFC час перекриття струму та напруги зменшується більш ніж на 88% (див. рис. 2). Час плато Міллера майже дорівнює нулю (див. малюнок 3), а загальні втрати при перемиканні зменшуються щонайменше на 70%.
Coss InnoGaN менший і має кращу лінійність (див. рис. 4). Коли Vds низька, Coss GaN набагато менший, ніж у Si MOS, і Si матиме процес мутації нахилу. З сигналу системи можна побачити, що втрати на перекриття перемикання GaN набагато менші, ніж у Si MOS, а Dv/dt GaN у сегменті t2-t3 менші, ніж у Si MOS, тому Генерований електромагнітний шум також менший.
