Що таке технологія GAN для зарядних пристроїв?
Dec 15, 2021| Простіше кажучи,маленький корпус з великою потужністю.
Зарядні пристрої з нітриду галію (GaN) викликали великий фурор на Міжнародній виставці побутової електроніки, і ця сучасна кремнієва альтернатива означає, що з’являться менші, ефективніші зарядні пристрої та джерела живлення.
Зарядні пристрої GaN фізично менші, ніж поточні зарядні пристрої, оскільки зарядні пристрої GaN не вимагають менше компонентів, ніж зарядні пристрої з кремнію. Цей матеріал може з часом проводити набагато вищу напругу, ніж кремній. Зарядні пристрої GaN не тільки більш ефективні в передачі струму, але й означають, що менше енергії втрачається на тепло. Тому, коли компоненти ефективніші в передачі енергії до пристрою, зазвичай потрібно менше компонентів. Як наслідок, завдяки широкій популярності технології кількість GaN джерел живлення та зарядних пристроїв значно зменшиться. Є й інші переваги, наприклад, вища частота комутації дозволяє досягти швидшої бездротової передачі енергії.
Нітрид галію — це напівпровідниковий матеріал, який привернув увагу в 1990-х роках у зв’язку з виробництвом світлодіодів. GaN використовувався для створення перших білих світлодіодів, синіх лазерів і повнокольорових світлодіодних дисплеїв, які можна побачити вдень. У програвачах Blu-ray DVD GaN створює синє світло, яке зчитує дані з DVD.
Здається, незабаром GaN замінить кремній у багатьох областях. Виробники кремнію десятиліттями невпинно працювали над вдосконаленням транзисторів на основі кремнію. Відповідно до закону Мура, кількість транзисторів в інтегральних кремнієвих схемах подвоюється приблизно кожні два роки. Це спостереження було зроблено в 1965 році і в основному було правильним протягом останніх 50 років. Однак у 2010 році розвиток напівпровідникових технологій вперше впав нижче цієї швидкості. Багато аналітиків (і сам Мур) прогнозують, що до 2025 року закон Мура застаріє.
Виробництво GaN транзисторів зросло в 2006 році. Покращений виробничий процес означає, що GaN транзистори можуть бути виготовлені на тому ж обладнанні, що й кремнієві. Це може знизити витрати та спонукати більше виробників кремнію використовувати GaN для виробництва транзисторів.