Біполярний транзистор

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SChitec) є високотехнологічним підприємством, яке спеціалізується на виробництві та продажі аксесуарів для телефонів. Наша основна продукція включає зарядні пристрої для подорожей, автомобільні зарядні пристрої, кабелі USB, банки живлення та інші цифрові продукти. Усі продукти є безпечними та надійними, з унікальним стилем. Продукти проходять такі сертифікати, як CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick тощо , Якщо ви зацікавлені, ви можете зв’язатися безпосередньо з ceo@schitec.com. 

Безпечно заряджайтеся разом із SChitec

Біполярний транзистор

Біполярний транзистор відноситься до транзистора, який дуже часто використовується в аудіосхемах. Біполярний є похідним від співвідношення, за якого струм протікає через два напівпровідникові матеріали. Біполярний транзистор можна класифікувати на тип NPN або тип PNP залежно від полярності робочої напруги.

Біполярний з'єднання

«Біполярний» означає, що обидва носії, електрони і дірки, беруть участь в русі одночасно. Біполярний транзистор (BJT), також відомий як напівпровідниковий тріод, — це пристрій, який поєднує два PN-переходу за допомогою певного процесу. Є дві комбінації PNP і NPN; зовнішні виводи три полюси: Колектор, емітер і база, колектор виведений з колектора, емітер виведений з емітера, а база виведена з бази (база посередині); BJT має посилення, і це залежить від його струму емітера. Щоб забезпечити цей процес передачі, щоб забезпечити цей процес передачі, повинні бути виконані внутрішні умови, тобто концентрація домішок в емітерній області повинна бути набагато більшою, ніж концентрація домішок в базовій області, і товщина базової області невелика, а інший аспект повинен відповідати зовнішнім умовам, тобто емітерний перехід повинен мати пряме зміщення (плюс пряма напруга), а колекторний перехід має бути зворотне зміщення; існує багато типів BJT, відповідно до частоти, є високочастотні трубки, низькочастотні трубки, відповідно до точок живлення, є маленькі, середні та великі потужні трубки, відповідно до напівпровідникових матеріалів, мають кремнієві трубки та танталові трубки тощо. ; Форми посилених схем: загальний емітер, загальна база та загальний колекторний підсилювач.