Польовий транзистор

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SChitec) є високотехнологічним підприємством, яке спеціалізується на виробництві та продажі аксесуарів для телефонів. Наша основна продукція включає зарядні пристрої для подорожей, автомобільні зарядні пристрої, кабелі USB, банки живлення та інші цифрові продукти. Усі продукти є безпечними та надійними, з унікальним стилем. Продукти проходять такі сертифікати, як CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick тощо , Якщо ви зацікавлені, ви можете зв’язатися безпосередньо з ceo@schitec.com. 

Безпечно заряджайтеся разом із SChitec

Польовий транзистор

Сенс «польового ефекту» полягає в тому, що принцип роботи цього транзистора заснований на ефекті електричного поля напівпровідника.

Польовий транзистор Транзистор, який працює за принципом польового ефекту. Польові транзистори, у свою чергу, містять два основних типи: польові транзистори з переходом (JFET) і польові транзистори з металооксидними напівпровідниками (MOS-FET). На відміну від BJT, польові транзистори є електропровідними лише за допомогою одного типу носія (основні носії), і тому їх також називають уніполярними транзисторами. Він належить до напівпровідникових пристроїв із керуванням напругою та має такі переваги, як високий вхідний опір, низький рівень шуму, низьке енергоспоживання, великий динамічний діапазон, легка інтеграція, відсутність вторинного пробою та широка безпечна робоча зона.

Ефект поля полягає у зміні напрямку або величини прикладеного електричного поля перпендикулярно до поверхні напівпровідника для контролю щільності або типу основних носіїв у напівпровідниковому провідному шарі (каналі). Це модульований напругою струм у каналі, робочий струм якого переноситься основними носіями в напівпровіднику. Такий транзистор, у провідності якого бере участь тільки один тип полярних носіїв, також називають уніполярним транзистором. У порівнянні з біполярними транзисторами польові транзистори мають такі характеристики, як високий вхідний опір, низький рівень шуму, висока гранична частота, низьке енергоспоживання, простий виробничий процес і хороші температурні характеристики. Вони широко використовуються в різних схемах підсилювачів, цифрових схемах і мікрохвильових схемах. Зачекайте. Металеві 0-оксидно-напівпровідникові польові транзистори (MOSFET) на основі кремнію та польові транзистори з бар’єром Шотткі (MESFET) на основі арсеніду галію є двома найважливішими польовими транзисторами. Вони є основними пристроями MOS LSI і MES надшвидкісних інтегральних схем.